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抗蚀剂下层组合物及利用其制造半导体集成电路装置的方法制造方法及图纸
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下载抗蚀剂下层组合物及利用其制造半导体集成电路装置的方法的技术资料
文档序号:4213845
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本发明披露了一种抗蚀剂下层组合物,其包括从以下化学式1和2中的至少一种化合物与以下化学式3~5中的至少一种化合物获得的有机硅烷缩聚产物;以及溶剂。[化学式1][R1]3Si-[Ph1]1-Si[R2]3[化学式2][R1]3Si-[Ph1]...
该专利属于第一毛织株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过第一毛织株式会社授权不得商用。
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