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本申请提供了一种导热增强衬底结构的制备方法、装置及电子设备，包括：通过金刚石粉溶液对碳化硅基氮化镓衬底中的碳化硅层进行减薄及粗糙化处理，并在处理后的碳化硅层的表面预留纳米金刚石层；使用氮气和氩气形成的第一气氛，在不同温度条件下分两次在纳米金...
该专利属于中电科第三代半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电科第三代半导体科技有限公司授权不得商用。

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