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本发明公开了一种三维存储器，属于半导体技术领域，所述三维存储器包括：衬底；多个垂直沟道，设置在所述衬底内；源极，设置在所述垂直沟道位于所述衬底的一端，整排所述垂直沟道共用同一所述源极；漏掺杂区，设置在所述垂直沟道远离所述源极的一端；栅极介质...
该专利属于杭州积海半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州积海半导体有限公司授权不得商用。

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