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本发明公开了一种具有高注入能量的热电子晶体管及其制备方法，该热电子晶体管包括衬底、外延结构和金属电极；外延结构包括由下自上堆叠的缓冲层、n+GaN集电极欧姆接触层、UID‑GaN集电极层、第一AlGaN集电极势垒层、第二AlGaN集电极势垒...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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