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一种带有C状掺杂区的肖特基隧穿场效应晶体管生物传感器制造技术
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下载一种带有C状掺杂区的肖特基隧穿场效应晶体管生物传感器的技术资料
文档序号:42087614
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一种带有C状掺杂区的肖特基隧穿场效应晶体管生物传感器,包括水平T形的沟道,水平T形沟道两侧分别设有源极和漏极;所述沟道内靠近源极的一侧设有P型C状重掺杂区,沟道的上下表面均设有栅极介质层,栅极介质层的表面设有栅极,沟道与栅极之间,且栅极介质...
该专利属于西安电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安电子科技大学授权不得商用。
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