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本发明公开了半导体晶圆的静电吸附装置，涉及半导体技术领域。其包括连接底板，所述连接底板上涂有基底层，所述基底层上印刷有第一电极，所述第一电极上涂有中间层，所述中间层上印刷有第二电极，所述电极上涂有覆盖层，所述覆盖层上方包含有吸附层。该装置吸...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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