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本申请涉及一种外延层及其制作方法和发光芯片，该外延层包括N型半导体层，有源层以及P型半导体层，该外延层中P型半导体层包括层叠设置的第一超晶格层、第二超晶格层和第三超晶格层，第一超晶格层为多个交替层叠的第一AlGaN子层与第一P型GaN子层，...
该专利属于重庆康佳光电技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆康佳光电技术研究院有限公司授权不得商用。

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