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本发明公开了一种高Q值PMUT器件及其制造方法。高Q值PMUT器件包括沿选定方向层叠设置的支撑结构层、底电极、压电层和顶电极，所述支撑结构内具有谐振腔，所述顶电极完全位于所述谐振腔沿所述选定方向形成的第一正投影区域内，所述第一正投影区域包括...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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