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本发明是有关于一种沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法。该方法包括以下步骤：制作第一导电型外延层于硅基板上；制作多数个沟槽于外延层；全面离子注入第一导电型的掺杂物于外延层；制作多晶硅图案层覆盖沟槽与其周围预设范围的外延层；通过多晶...
该专利属于尼克森微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过尼克森微电子股份有限公司授权不得商用。

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