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本发明属于功率半导体技术领域，具体提供一种集成异质结二极管的异质异构型宽禁带和超宽禁带槽栅MOSFET器件，用于解决超宽禁带半导体Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;无P型掺杂导致的...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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