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本发明公开了一种内部集成低导通压降二极管的SiC MOSFET结构，包括栅区和分布在栅区两侧的源区，栅区由两个被氧化层隔离的分裂栅组成，其中一个为控制沟道通断的栅，另一个为与源极短接的虚栅；靠近虚栅的一个源区下方为N基区，另一个源区下方为P...
该专利属于西安电子科技大学广州研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学广州研究院授权不得商用。

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