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本发明涉及一种清洗半导体晶片表面的方法，按给定顺序包括以下步骤：(1)用臭氧水进行清洗的第一清洗步骤，和随后使用纯化水的冲洗步骤；(2)第二清洗步骤，包括使用臭氧水的处理步骤，然后是使用含HF液体的处理步骤，其中所述第二清洗步骤可以重复进行...
该专利属于硅电子股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅电子股份公司授权不得商用。

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