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本发明提供一种单晶硅用石英坩埚及其制备方法及半导体级单晶硅生长方法，该制备方法包括：对石英砂成型后的石英坩埚依次进行排气处理、封皮处理、透明层熔制、气泡层熔制、退火和冷却；退火处理包括：所述气泡层熔制后的降温过程中，监测石英坩埚内表面的温度...
该专利属于浙江美晶新材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江美晶新材料股份有限公司授权不得商用。

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