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本发明公开了一种TaO<subgt;x</subgt;的沉积方法，包括：提供具有无氧环境的沉积腔，沉积腔中设置有Ta靶和沉积对象；通入足量的第一惰性气体；在启辉前，再通入流量小于第一惰性气体流量的适量氧气，并立即启辉，使Ta靶表...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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