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本申请公开了一种基于自旋轨道矩磁性隧道结的逻辑运算单元和方法。该逻辑运算单元包括：全耗尽型绝缘体FDSOI的MOS管与自旋轨道矩磁性隧道结SOTMTJ；FDSOI的MOS管的漏极与SOTMTJ的第一端串联，SOTMTJ的第二端接地；FDSO...
该专利属于广东省大湾区集成电路与系统应用研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东省大湾区集成电路与系统应用研究院授权不得商用。

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