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本发明公开了一种增强型偏振可调的VCSEL激光阵列芯片结构与制备方法，包括：半导体衬底和形成于半导体衬底上表面的半导体外延层；半导体外延层包括自下而上依次设置的N型反射镜、发光有源区、氧化限制区、P型反射镜和盖层，半导体外延层的全部或上部分...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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