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本发明提供了一种用于辐照特性测试的宽禁带半导体结构及其制备方法，属于半导体技术领域。该半导体结构包括基板和宽禁带半导体部，基板上设置有金属盘；宽禁带半导体部包括层叠布置的氮化镓层、势垒层和P型氮化镓层，P型氮化镓层上设置有栅极金属层、源极欧...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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