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用于增强ALD膜生长的前体的部分击穿制造技术
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下载用于增强ALD膜生长的前体的部分击穿的技术资料
文档序号:41903580
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本公开涉及使用原子层沉积(ALD)形成膜的方法和系统。更具体地,所公开的方法和系统利用远程低功率等离子体来部分击穿化学前体,以形成更有效地化学吸附到衬底表面上的自由基化前体。引入第二反应物以将化学吸附层转化成期望的膜。...
该专利属于ASMIP私人控股有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过ASMIP私人控股有限公司授权不得商用。
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