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一种具有超结结构的半导体装置，包含：漏区，以第一导电型的半导体形成；漂移层，以所述第一导电型的半导体形成于所述漏区的第一面；柱状结构，包括在所述漂移层中交互排列的多个所述第一导电型柱体与多个第二导电型柱体；在剖视图中，所述第二导电层柱体具有...
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