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本发明属于电力电子，半导体材料刻蚀技术领域，具体为一种集成掩膜板的半导体光电化学刻蚀装置。本发明利用带有石英通光孔的反应容器，辅以滤波片组以及放置待刻蚀半导体材料的金属掩膜箱作为工作电极，通过将金属掩膜箱集成与刻蚀图形匹配的图形化窗口，简化...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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