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本发明提供一种具有浮空场板结构的氧化镓MOSFET器件及其制作方法，包括浮空复合场板，形成为沿沟道长度的平行方向排布的多个场板区段，浮空复合场板插置于场介质层中以使场介质层包围浮空复合场板的侧壁和底部。本发明利用浮空复合场板，在源漏极之间施...
该专利属于华润微电子（重庆）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华润微电子（重庆）有限公司授权不得商用。

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