温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种双阻变层局部有源忆阻器及其制备方法，涉及微电子材料与半导体器件，忆阻器包括：由下而上依次设置的衬底、底电极、忆阻功能层和顶电极；忆阻功能层采用多层纳米薄膜制成，忆阻功能层包括第一功能层和第二功能层，第二功能层位于第一功能层之...
该专利属于山东科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。