温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件。该碳化硅外延片的制备方法中，在生长第二掺杂类型外延层之前，通入刻蚀气体，可以有效弱化由第一掺杂类型外延层和外延腔室引起的背景记忆效应，并且还在第一掺杂类型外延层的表面上生长高浓度的第二掺...
该专利属于芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。