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本发明公开了一种ＳＯＮＯＳ闪存单元及其制造方法，其中的ＳＯＮＯＳ器件和选择晶体管都采用增强型ＰＭＯＳ器件，因此无需深Ｎ阱工艺就可以实现器件衬底偏置。Ｎ阱表面的Ｐ型埋沟可为ＳＯＮＯＳ器件的编程提供大量空穴，大大提高编程效率，克服了空穴由于有效...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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