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本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法，包括以下步骤：１．在晶圆上定义肖特基二极管区域；２．在硅片上进行Ｎ掺杂阱注入；３．用溅射工艺在硅片上淀积金属；４．小于５５千电子伏特的硅原子对硅片进行注入；５．进行高温快速退火，形成硅化物。从而本发明...该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法，包括以下步骤：１．在晶圆上定义肖特基二极管区域；２．在硅片上进行Ｎ掺杂阱注入；３．用溅射工艺在硅片上淀积金属；４．小于５５千电子伏特的硅原子对硅片进行注入；５．进行高温快速退火，形成硅化物。从而本发明...