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本发明公开了一种精确评估栅氧可靠性能的测试结构，包括ＭＯＳ结构，ＭＯＳ结构的栅氧化层上并联有多晶硅熔丝。所述ＭＯＳ结构是Ｎ型晶体管、Ｐ型晶体管或栅氧电容。本发明在栅氧化层并联一个可熔断的多晶硅熔丝，该多晶硅熔丝在测试前包括工艺过程中能够将等...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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