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本发明公开了一种在SONOS技术中提升自对准孔模块工艺窗口的结构及其制作方法,其特征在于,包括浅沟道隔离和自对准孔刻蚀(SACE)两个模块的膜层结构,采用未搀杂氧化膜作为层间膜介质,采用磷酸玻璃作为场区隔离介质。本发明可以避免由于磷酸玻璃作...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种在SONOS技术中提升自对准孔模块工艺窗口的结构及其制作方法,其特征在于,包括浅沟道隔离和自对准孔刻蚀(SACE)两个模块的膜层结构,采用未搀杂氧化膜作为层间膜介质,采用磷酸玻璃作为场区隔离介质。本发明可以避免由于磷酸玻璃作...