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本发明公开了一种ＬＥＤ外延结构，自下而上包括：衬底层、缓冲层、不掺杂的氮化物层、ｎ型氮化物层、发光层、插入层、ｐ型氮化物层；所述插入层由不掺杂的ＡｌｘＩｎｙＧａ１－ｘ－ｙＮ层和ｐ型ＡｌｘＩｎｙＧａ１－ｘ－ｙＮ层交替构成；其中，０≤ｘ＜０．３...
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