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本发明公开了一种暗场图形硅片检测机台获得缺陷尺寸的方法，包括如下步骤：第１步，选择测试样片，所述测试样片是仅具有一种空白薄膜的硅片；第２步，分别在暗场光硅片检测机台和暗场图形硅片检测机台对所述测试样品的表面缺陷进行检测，检测结果均生成ＫＲＦ...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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