下载基于离子浓差的纳流忆阻器和人工离子突触器件及应用的技术资料

文档序号:41848232

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本发明公开了一种基于离子浓差的纳流忆阻器,包括具有尖端开口和底端开口的锥形纳米孔道,底端开口的口径大于尖端开口;锥形纳米孔道的内部环境中存在第一电解质溶液,与尖端开口导通的外部环境中存在第二电解质溶液,第一电解质溶液和第二电解质溶液具有离子...
该专利属于厦门大学所有,仅供学习研究参考,未经过厦门大学授权不得商用。

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