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本发明公开了一种离子注入装置，其包括：一离子源和一引出系统，该引出系统用于从该离子源引出离子束；一质量分析磁铁，用于偏转来自该引出系统的离子束，以从该离子束中选择一预设能量范围内的离子束；一校正磁铁，用于对来自该质量分析磁铁的该预设能量范围...
该专利属于上海凯世通半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海凯世通半导体有限公司授权不得商用。

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