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本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种使用窄禁带宽度材料源极的隧穿场效应晶体管（ＴＦＥＴ）及其制备方法。该隧穿场效应晶体管的源极采用窄禁带宽度材料，并采用Ｕ形沟道结构。由于该ＴＦＥＴ采用了窄禁带宽度材料，其驱动电流得到提升，同时，由于该Ｔ...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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