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本发明提供一种存储单元组合规律的验证方法，用于验证存储芯片存储单元组合规律的正确性，它包括以下步骤：１．在待验证的存储芯片上标记待损伤位置；２．采用聚焦离子束在待损伤位置制作损伤凹口；３．采用测试机测试存储芯片，标记测试机测试的存储单元失效...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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