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本发明公开了一种N极性GaN基多层结构、其制备方法及应用。所述N极性GaN基多层结构包括沿第一方向依次设置的第一衬底、第一阻挡层、键合层、第二阻挡层、第一缓冲层、第一势垒层、第二势垒层、沟道层和帽层；所述第一方向为从Ga极性面指向N极性面的...
该专利属于郭泊含所有，仅供学习研究参考，未经过郭泊含授权不得商用。

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