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本发明公开了一种轻掺杂离子注入方法，涉及半导体领域的离子注入制程。现有的轻掺杂离子注入方法容易发生通道效应。本发明的轻掺杂离子注入方法以原子团为单位向晶圆进行离子注入，所述原子团包括至少两个注入离子。所述注入离子在注入过程中形成离子束，其中...
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