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本发明提供一种改善中压器件GIDL漏电的方法，提供衬底，衬底上包括第一、二中压器件区、以及低压器件区，第一、二中压器件区为互补的MOS器件区，在衬底上形成有栅极介质层，第一、二中压器件区以及低压器件区上的栅极介质层上分别形成有第一至三栅极叠...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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