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本发明公开了一种砷化镓单晶生长装置及制备方法，包括炉体和用于容纳原料的原料容纳装置，炉体设置在升降驱动装置上，炉体内设有加热腔，加热腔的下端敞口，炉体的内壁上设有加热部件，加热腔中设有若干个沿竖直方向排列的冷却介质环，冷却介质环内设有冷却介...
该专利属于浙江康鹏半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江康鹏半导体有限公司授权不得商用。

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