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本发明公开了一种高纯净高稳定性级联弧等离子体源，包括级联片、阴极座、设置于阴极座的阴极进气仓，以及设置于级联片的等离子体通道；所述级联片内部设置有用于冷却等离子体通道的水冷通道，且所述等离子体通道设置有惰性环，所述阴极进气仓设置有进气孔。本...
该专利属于中国科学院合肥物质科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院合肥物质科学研究院授权不得商用。

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