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本发明提供一种氧化镓异质结二极管及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：提供一衬底，于所述衬底的上表面形成漂移层；于所述衬底的下表面形成阴极金属层；于所述漂移层的两侧做刻蚀形成凹槽，所述凹槽的深度大于等于所述漂移层的深度；于所述凹槽内填充高...
该专利属于华润微电子（重庆）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华润微电子（重庆）有限公司授权不得商用。

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