温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种基于模板生长的钙钛矿薄膜晶体管及其制备方法，所述钙钛矿薄膜晶体管具有底栅顶接触结构，其自下而上包括栅电极、绝缘层、基于模板生长的钙钛矿半导体有源层、对称的源漏电极。所述的钙钛矿半导体层是通过在三维锡基金属卤化物钙钛矿前驱液中...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。