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本发明涉及半导体技术领域中的一种沟槽栅MOSFET器件，包括衬底层和外延层，外延层的上表面对称设置有源极结构，或外延层内嵌入设置有对称的源极结构，源极结构包括阱区、沟道区、第一源极接触区、第二源极接触区和源极电极，对称的源极结构之间设置有沟...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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