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用于三端子存储器基元的结构制造技术
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下载用于三端子存储器基元的结构的技术资料
文档序号:41734666
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所公开的主题一般地涉及用于存储器装置的结构。更具体地说,本公开涉及具有源极电极、漏极电极和控制电极的三端子电阻式随机存取(ReRAM)存储器结构。本公开提供了一种存储器结构,该存储器结构包括源极电极;漏极电极;横向地位于源极电极和漏极电极之...
该专利属于格芯新加坡私人有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过格芯新加坡私人有限公司授权不得商用。
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