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本发明提供了一种深紫外发光二极管（ＬＥＤ）及其制备方法，采用低温ＧａＮ插入层取代ＡｌＮ／ＡｌＧａＮ超晶格或高温ＧａＮ插入层来生长深紫外ＬＥＤ，该低温ＧａＮ插入层是在温度４００－９００℃，压力３０－２００ｔｏｒｒ，Ⅴ／Ⅲ　１５００－２５００条...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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