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本发明公开了一种残留物的去除方法，用于在晶圆上制作不同厚度的栅氧化层的工艺中，在制作不同厚度的栅氧化层之间，采用酸性溶液清洗晶圆表面的残留物。与现有技术相比，本发明所述的去除方法，在保证晶圆上用于隔离不同半导体器件的浅沟槽的厚度符合要求及不...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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