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本发明公开了一种MIS结构增强型超结电流孔径垂直电子晶体管及其制造方法，晶体管包括依次布置的：n型GaN衬底、n型GaN漂移层、超结、p型GaN电流阻挡层、GaN沟道层、势垒层和介质层；其中，p型GaN电流阻挡层设有用于限定电流路径的电流通...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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