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本发明属于无机化合物晶体及制造技术领域，具体涉及一种焦硅酸钇闪烁单晶的浮区法生长方法。本发明的生长方法包括：原料的合成，熔料，接种，生长和降温四个步骤，其中，晶体生长完毕后的降温过程中，在相变点温度以上时，降温速率为３０～５０℃／分钟，在相...该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。
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本发明属于无机化合物晶体及制造技术领域，具体涉及一种焦硅酸钇闪烁单晶的浮区法生长方法。本发明的生长方法包括：原料的合成，熔料，接种，生长和降温四个步骤，其中，晶体生长完毕后的降温过程中，在相变点温度以上时，降温速率为３０～５０℃／分钟，在相...