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本发明公开了一种数字式MEMS扬声器发声单元结构及制造方法,在第一键合基板上设置氧化硅绝缘层,设置振膜层,在振膜层上沉积形成牺牲层,沉积电极上绝缘层,然后在电极上绝缘层上方继续沉积掺杂多晶硅形成发生单元电极层;在第二键合基板上沉积形成电极下...该专利属于地球山(苏州)微电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过地球山(苏州)微电子科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种数字式MEMS扬声器发声单元结构及制造方法,在第一键合基板上设置氧化硅绝缘层,设置振膜层,在振膜层上沉积形成牺牲层,沉积电极上绝缘层,然后在电极上绝缘层上方继续沉积掺杂多晶硅形成发生单元电极层;在第二键合基板上沉积形成电极下...