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本发明属于存储器技术领域，具体为基于氧化铌薄膜的电阻随机存储器及其制备方法。该存储器单元包括衬底和金属－绝缘层－金属（ＭＩＭ）结构单元，ＭＩＭ结构单元的顶电极为氮化钛等金属薄膜，绝缘层为氧化铌薄膜，下电极采用Ｐｔ或Ａｕ。本发明中的ＭＩＭ结构...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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