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本发明属于电容器技术领域，具体为一种可擦写的金属－绝缘体－硅电容器结构。本发明依次采用高温干氧热氧化的ＳｉＯ２薄膜做电荷隧穿层；原子层淀积的ＨｆＯ２／Ａｌ２Ｏ３／ＨｆＯ２三明治纳米叠层做电荷俘获层；原子层淀积的Ａｌ２Ｏ３薄膜做电荷阻挡层；衬...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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