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本发明涉及一种在半导体器件中形成超窄特征沟槽的方法。包括以下步骤：形成具有第一尺寸的掩膜图案的光致抗蚀剂图案，然后将其置于酸溶液中浸泡；浸泡结束后取出，采用特定的多步骤旋涂方式旋涂RELACS材料结束后，烘烤涂覆的RELACS材料层，通过光...
该专利属于湖北九峰山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。

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